公司开了一个和射频相关的项目,作为一个苦逼的码农实习生被分进去这个项目了。还好我本硕都是计科的,不然接不住这个项目了。然而项目的一部分要用到全桥驱动电路。于是周末稍微花了一下午研究,也写了原理性验证的代码,终于把全桥驱动电路的控制方法弄明白了。
全桥电路原理图
具体全桥电路的定义这里就不复读啦。因为4个MOS管和负载相连时看上去像H,它又叫做H桥电路。通过控制这四个MOS管的导通和关断,能够让负载获得正向电流和负向电流,从而实现各种各样的用途。
现在来分析这四个MOS管的不同导通/关断情况下对应的负载电流方向。显然,同一侧的MOS管(Q1&Q2、Q3&Q4)不能同时导通,不然会发生短路。只有对角的MOS管(Q1和Q4,或者Q2和Q3)导通和底下两个MOS管(Q2和Q4)导通才是有效状态。虽然理论上Q1和Q3也可以同时导通,但是实际上一般不会用到,因此不分析这种情况。
(1)负载通过正向电流
本文将原理图中电流从1进入,从4流出记为电流的正方向。聪明的读者不难发现,让Q1和Q4导通,Q2和Q3关断,就能实现让负载通过正向电流。
(2)负载通过反向电流
理所当然地,想让电流从4进入,从1流出的话MOS管的导通状态是和上述情况相反的。让Q2和Q3导通,Q1和Q4关断,即可实现让负载通过正向电流。
(3)负载无电流通过
其实四个MOS管全部关断也可以让负载无电流通过。考虑到某些负载是感性负载的情况,比如说负载是一个直流电机,笔者建议让Q2和Q4导通,Q1和Q3关断(负载两端接地)。
知道了MOS管不同的通断状态能起到不同的效果,那么怎么控制MOS管的通断呢?单凭单片机自身的输出电平不足以驱动MOS管,一般需要借助MOS管驱动芯片。本文以HIP4081A为例来简单聊几句。
应用HIP4081A驱动全桥MOS管的原理图
如上图所示,芯片的BHO、BLO、AHO和ALO分别和四个MOS管的门极(也可以叫栅极)相连。这和上一节给出的原理图的BH、BL、AH和AL是对应的。这四个引脚的输出受BHI、BLI、AHI和ALI控制,它们之间的关系可以看真值表(摘自芯片的数据手册)。
在这个原理图里,BHI和AHI都接了“1”电平。假设DIS=0,那么这张真值表只需要关心第二、第三行。当ALI为1时,ALO和AHO分别为1和0,此时Q3关断、Q4导通。当ALI为0时,ALO和AHO分别为0和1,此时Q3导通、Q4关断。BLI的情况与ALI类似,同理可得Q1、Q2的通断情况。
根据ALI、BLI的输入与负载通过电流方向的关系,可归纳出以下表格:
ALI | BLI | 电流方向 | 备注 |
---|---|---|---|
0 | 0 | 无电流 | 负载两侧接VCC |
0 | 1 | 反向 | |
1 | 0 | 正向 | |
1 | 1 | 无电流 | 负载两侧接地 |
那么可能有人会问:如果Q1、Q4导通,Q1的门极和源极之间的电压就要达到MOS管的导通电压 V_{GS} 及以上。现在Q1的源极电压已经有VCC那么大了,Q1门极对地的电压要大于VCC,是怎么做到的?
不妨再倒回去看看带芯片的原理图,在左上角的MOS管左侧有一个电容。这个电容即为传说中的“自举电容”,能够为Q1的门极提供大于VCC的电压,从而维持MOS管的导通。自举电容的充放电原理此处不再展开了,有兴趣的可以自行百度。
这个电路的应用场景有很多,根据不同的场景可以给出ALI和BLI不同的时序,从而负载获得不同的波形。
最常见的应用是小车电机的正反转控制以及调速。ALI和BLI的高低电平可以控制电机的正反转。而ALI或者BLI如果是一个PWM波,调整PWM波的占空比可以实现电机转速的控制。
如果负载是一个变压器的初级线圈,可以给变压器的初级线圈输出一个SPWM波,能够将直流电源变为交流输出,从而起到逆变器的作用。