光刻機的分辨率越高,越有利於制造更小的晶體管,而分辨率也跟光刻機物鏡的NA數值孔徑有直接關系,目前的EUV光刻機是NA=0.33技術的,下代EUV光刻機則是提升到NA=0.55。
根據ASML公司高管日前透露的消息,NA=0.55的EUV光刻機今年底會出貨首個商用原型,2025年會正式量產。
他沒有公佈具體哪傢公司會首發NA=0.55光刻機,但之前英特爾公司表示他們會率先使用下代EUV光刻機,已經巨資提前下單。
按照2025年出貨的時間點來看,臺積電、英特爾、三星的2nm級別工藝是趕不上的,最快也要到1.4nm工藝才能用上NA=0.55光刻機,未來生產1nm工藝則是不可少的設備。
伴隨技術提升的還有售價,由於更加復雜、精密,NA=0.55的EUV光刻機價格大幅上漲,具體多少不確定,此前消息稱不低於4億美元,人民幣接近30億元瞭,是現在的2-3倍。
這還不排除未來正式商用的時候價格進一步上漲,畢竟還要好幾年才能上市。
來源:中國半導體論壇
半導體工程師
半導體經驗分享,半導體成果交流,半導體信息發佈。半導體行業動態,半導體從業者職業規劃,芯片工程師成長歷程。
上一篇
下一篇
(報告出品方/作者:開源證券,諸海濱,趙昊)1、公司情況:深耕智能終端產品,2021年營收上漲39%1.1、發展歷程:成立於2011...